E‐beam 蒸發(fā)臺(tái)（ULVAC公司）：具有Al、Ti、Ni、Au、Pt、Ge、Cr等金屬沉積工藝，沉積薄膜厚度<2um，具有高精度對(duì)準(zhǔn)的shadow mask工藝。

APCVD：可進(jìn)行常規(guī)氧化生長(zhǎng)工藝以及退火工藝；APCVD熱氧應(yīng)力-300MPa。
PECVD：SiO2應(yīng)力可調(diào)范圍-300MPa到150MPa，SI3N4應(yīng)力可調(diào)范圍-250MPa到300MPa。
LPCVD：SIN、Upoly、α‐Si沉積工藝，SiN具有低應(yīng)力工藝；LPCVD SIN應(yīng)力150MPa到1100Mpa可調(diào)。